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IGBT
晶圓
激光退火
| LA
IGBT
晶圓激光退火
| LA
應用領域
硅基IGBT晶圓離子激活
產品特點
高可靠性、成熟穩定
全自主光學系統
優良的熱預算控制,有效降低碎片風險
低至50μm超薄TaiKo晶圓處理能力
型號
LA2540S
LA2550S
LA2540D
LA2550D
晶圓尺寸
6寸、8寸、12寸
激光功率
60W*2
90W*2
60W*2+300W
90W*2+300W
激光能量密度
≥5J/cm
2
×2
激活率
≥95%@B+
≥90%@P+
RS不均勻性
片內:≤1%@3sigma
片間:≤1%@3sigma
工藝效果
無碎片、無裂紋、鍵合片退火后邊緣無翹曲
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激光誘導結晶設備
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淺結/超淺結晶圓退火
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SiC
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晶圓激光標刻機
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